产品供应商DMN6068SE-13制造商零件编号：DMN6068SE-13 制造商：Diodes Incorporated 描述：MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 系列：- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A（Ta） 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：502pF @ 30V 功率 - 最大值：2W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装：SOT-223 |
