产品供应商DMN63D8LV-7制造商零件编号：DMN63D8LV-7 制造商：Diodes Incorporated 描述：MOSFET 2N-CH 30V 260MA SOT563 系列：- FET 类型：2 个 N 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：260mA 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：22pF @ 25V 功率 - 最大值：450mW 安装类型：表面贴装 封装/外壳：SOT-563，SOT-666 供应商器件封装：SOT-563 |
