产品供应商NTHD3102CT1G制造商零件编号：NTHD3102CT1G 制造商：ON Semiconductor 描述：MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A 系列：- FET 类型：N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A，3.1A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 10V 功率 - 最大值：1.1W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：8-SMD，扁平引线 供应商器件封装：ChipFET |
