产品供应商SI7635DP-T1-GE3造商零件编号：SI7635DP-T1-GE3 制造商：Vishay Siliconix 描述：MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8 系列：TrenchFET FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A（Tc） 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.9 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：143nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4595pF @ 10V 功率 - 最大值：54W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：PowerPAK SO-8 供应商器件封装：PowerPAK SO-8 |
